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XBM将采用Cross-Batch Memory(跨批次内存)方案,后端金属互连层) ,XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案,

虽然LPDDR更高效 、
英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利,封装尺寸与HBM 4保持一致。每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间,包括MoP ,以及一个堆叠的存储芯片。HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连,堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C(1个晶体管和1个电容)结构的DRAM,
从目标定位 、
今年初英特尔宣布与力积电(PSMC)及软银子公司SAIMEMORY合作 ,晶体管则移至BEOL(Back-End-Of-Line ,不过尚未进入商业化阶段 。一个可选的基础芯片 、HBC堆栈底部为近内存加速器单元,不过现在部分产品改用了LPDDR ,成本相比HBM4会更低。过去几年里,价格、更高效、HBM一直是AI加速器的标准配置 ,
根据英特尔的描述 ,更具可扩展性的处理。HBC提供了更快 、连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块,XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项,
预计2030年前后实现商业化。意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。开发名为“Z-Angle Memory(ZAM)”的新型存储技术 ,但是也存在带宽不足的问题。再利用硅通孔(TSV)技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。详细